الفيزياء

مُضخِّمات الإشارة

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء يُزيد مُضخِّم الإشارة قيمةَ السعة (التيار، الفولطية أو مستوى القدرة) لإشارةٍ ذات تردّد صوتي (AF) أو راديوي (RF). في هذا الفصل سوف نتعلّم كيفية عمل الأنواع الأكثر انتشاراً لمضخّمات…

أنواع مختلفة من الدوائر المتكاملة

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء – منظِّم الفولطية منظِّم الفولطية هو دارةٌ متكاملةٌ خطّيّةٌ تتحكَّم بفولطية الخرج من وحدةِ تغذيةٍ ما (أو تسيطر عليه). تحتاج معظمُ التجهيزات الإلكترونية الدقيقة فولطيات تشغيلٍ يجب أن تبقى…

المضخِّم التشغيلي

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء المضخِّم التشغيلي (Operational Amplifier)  (ويُدعى غالباً Op amp – أوب أمب – كمُختصَرٍ لفظيٍّ) هو دارةٌ متكاملةٌ خطّيّةٌ تنتج اكتساباً على امتداد نطاقٍ واسعٍ من تردّدات دخل الإشارة. وللمضخِّم…

الدارات المتكاملة وخصائصها

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء معظم الدارات المتكاملة (IC) (Integrated Circuits) تبدو كصناديقَ بلاستيكيةٍ ذات مساميرَ معدنيةٍ بارزةٍ. الرمز التخطيطي لدارة متكاملة هو مثلّثٌ أو مستطيلٌ مكتوبةٌ داخله المؤشرات على المكوِّنات. وفي الممارسة اليومية…

الدارات الأساسية لترانزستور الأثر الحقلي

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء توجد من أجل ترانزستورات الأثر الحقلي ثلاثةُ ترتيباتٍ عامّةٍ للدارات. وهي الدارات المساوية لدارات الباعث المشترك والقاعدة المشتركة والمجِّمع المشترك للترانزستور ثنائي القطبية، وتُصنَّف كما يلي: 1- دارة المصدر…

نمط النضوب مقابل نمط التعزيز

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء في JFET، تقوم القناة بالتوصيل بوجود انحياز بوَّابة يساوي الصفر، أي عندما يكون لدى البوَّابة نفسُ الفولطية التي لدى المصدر ( = 0). ومع ازدياد  (في السلبية بالنسبة لجهاز بقناة من…

ترانزستورات الأثر الحقلي أكسيد- معدن والبوابة المعزولة

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء إنّ اللفظةَ الأوائلية (MOSFET) (والتي تُلفظ "موس-فيت") آتيةٌ من الكلمات (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ومعناها "ترانزستور الأثر الحقلي ذو نصف ناقل-أكسيد- معدن". هذا النوع من المكوِّنات يمكن إنشاؤه بقناة ذات…

ما وراء الناقلية

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء كما تعلَّمنا من قبل، تخبرنا المواصفةُ بيتا عن مدى جودةِ التضخيم الذي يستطيع أن يقوم به ترانزستور ثنائي القطبية لإشارةِ تيّارٍ متناوبٍ. وعندما نعمل مع الأجهزة JFET، يتكلّم المهندسون…

كيفية قيام JFET بالتضخيم

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء يُظهِر الشكل 6-10 تيّارَ المصرف (القناة) النسبي  كتابعٍ لفولطية انحياز البوَّابة  من أجل JFET بقناة من النوع N افتراضيٍّ، مع اعتبار أنّ فولطية المصرف  تبقى ثابتةً. عندما تكون  كبيرةً إلى حدٍّ ما وسالبةً،…

النضوب والحصر و انحياز JFET

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء يعملJFET بسبب توليد الفولطية عند البوَّابة حقلاً كهربائياً يتدخَّل -إلى حدٍّ ما- في جريان حوامل الشحنة على طول القناة. مع زيادة فولطية المصرف ، يزداد أيضاً تيّار المصرف صعوداً حتى قيمة…