الفيزياء

هزّازات الإشارة

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء الهزّاز هو دارة مُضخِّم بتغذية رجعية موجبة تجعلها تولِّد إشارةً. تُولِّد أغلب الهزّازات ذات التردّد الراديوي RF موجاتٍ جيبيّةً بشكلٍ قريبٍ من المثالي. يمكن الهزّازات في التطبيقات ذات التردّد…

مُضخِّمات القدرة المُولَّفة ذات التردّد الراديوي (RF)

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء يسمح مضخِّم القدرة المُولَّف ذو التردّد الراديوي RF بالحصول على فعالية أفضل مقارنةً مع التصميمات ذات الحزمة العريضة. يسمح التوليف أيضاً بالحدّ من خطر تضخيم الإشارات الزائفة وإرسالها عبر…

مُضخِّمات التردّد الراديوي (RF) للقدرة ذات الحزمة العريضة

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء يوفِّر مُضخّمُ القدرة بتردّد راديوي (RF PA) ذو الحزمة العريضة سهولة تشغيل نسبيّاً لأن دارتَه لا تحتاج لتوليف، وبالتالي لا داع لقلق المشغل لحاجته للقيام بضبطٍ حرِج لها. مع…

مُضخِّمات الإشارة الضعيفة

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء يحتاج الطرف الأمامي (Front End) (مرحلة الحصول على الإشارة من الهوائي) في أيّ مُستقبِل لاسلكي إلى مُضخِّمٍ بحساسية ممتازة تعتمد على الاكتساب وعلى شكل الضجيج (Noise Figure). نُعرِّف ونقيس…

طرائق الاقتران والتضخيم ذو التردّد الراديوي (RF)

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء يُشير مُصطلح الاقتران (Coupling) إلى أيّ طريقةٍ لإيصال إشارةٍ من مرحلةٍ ما في دارة معقّدة إلى المرحلة التالية، كالوصل بين مُضخِّم منخفض المستوى مع مُضخِّم قدرة. يقدِّم الشكل 7-10…

التحكّم الحجمي

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء توجد في نظم المُضخِّمات الصوتية عادةً مرحلتان أو أكثر، لكل منها ترانزستور خاصّ بها. نستطيع في مرحلةٍ مبكّرة لقدرة إشارة منخفضة أن نُدخِل مكون تحكّم حجميّ (Volume Control) كالمُبيَّن…

التضخيم الصوتي والاستجابة الترددية

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء تعمل مُضخِّمات الصوت ذات الوثوقيّة العالية (هاي- فاي hi-fi) في تردّدات تمتدّ من بضع هرتزات إلى قيم تردّد تتجاوز بكثير حدودَ السمع البشري. يمكن لمضخِّم هاي- فاي مُصمَّمٍ جيّداً…

دفع وفعاليّة المضخّم

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء نُعرِّف فعاليةَ (Efficiency) مضخِّم على أنها النسبة ما بين قدرة إشارة الخرج المتناوب (AC Signal Power Output) (AC) المُفيدة وقدرة الدخل المستمرّ (DC Power Input) (DC) الكليّة. تضمن القيم…

مستويات المضخِّمات

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء يُصنِّف المهندسون دارات مضخِّم الإشارة إلى ثلاثة مستويات – المستوى أ والمستوى ب والمستوى ج – اعتماداً على الطريقة التي تنحاز فيها المكونات الفعّالة. لكلّ من هذه المستوىوف مميِّزات…

دارات التضخيم الأساسيّة

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء يجب على المضخّمات عموماً استخدامُ مكوناتٍ فعّالة نشطة، من مثل الترانزستورات ثنائية القطبية، أو ترانزستورات FET ذات الأثر الحقلي، أو دارات متكاملة تتضمّن مضخّمات تشغيلية. يمكن لمحوِّل تيار متناوب…