الفيزياء

الدارات الأساسية لترانزستور الأثر الحقلي

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء توجد من أجل ترانزستورات الأثر الحقلي ثلاثةُ ترتيباتٍ عامّةٍ للدارات. وهي الدارات المساوية لدارات الباعث المشترك والقاعدة المشتركة والمجِّمع المشترك للترانزستور ثنائي القطبية، وتُصنَّف كما يلي: 1- دارة المصدر…

نمط النضوب مقابل نمط التعزيز

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء في JFET، تقوم القناة بالتوصيل بوجود انحياز بوَّابة يساوي الصفر، أي عندما يكون لدى البوَّابة نفسُ الفولطية التي لدى المصدر ( = 0). ومع ازدياد  (في السلبية بالنسبة لجهاز بقناة من…

ترانزستورات الأثر الحقلي أكسيد- معدن والبوابة المعزولة

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء إنّ اللفظةَ الأوائلية (MOSFET) (والتي تُلفظ "موس-فيت") آتيةٌ من الكلمات (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ومعناها "ترانزستور الأثر الحقلي ذو نصف ناقل-أكسيد- معدن". هذا النوع من المكوِّنات يمكن إنشاؤه بقناة ذات…

ما وراء الناقلية

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء كما تعلَّمنا من قبل، تخبرنا المواصفةُ بيتا عن مدى جودةِ التضخيم الذي يستطيع أن يقوم به ترانزستور ثنائي القطبية لإشارةِ تيّارٍ متناوبٍ. وعندما نعمل مع الأجهزة JFET، يتكلّم المهندسون…

كيفية قيام JFET بالتضخيم

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء يُظهِر الشكل 6-10 تيّارَ المصرف (القناة) النسبي  كتابعٍ لفولطية انحياز البوَّابة  من أجل JFET بقناة من النوع N افتراضيٍّ، مع اعتبار أنّ فولطية المصرف  تبقى ثابتةً. عندما تكون  كبيرةً إلى حدٍّ ما وسالبةً،…

النضوب والحصر و انحياز JFET

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء يعملJFET بسبب توليد الفولطية عند البوَّابة حقلاً كهربائياً يتدخَّل -إلى حدٍّ ما- في جريان حوامل الشحنة على طول القناة. مع زيادة فولطية المصرف ، يزداد أيضاً تيّار المصرف صعوداً حتى قيمة…

ترانزستورات الأثر الحقلي

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء إنّ النوع الرئيسي الآخر للترانزستور نصف الناقل -إلى جانب الجهاز ثنائي القطبية- هو ترانزستور الأثر الحقلي (Field-Effect Transistor) (فيت FET). وهناك نسختان أساسيتان منه، وهما: ترانزستور الأثر الحقلي ذو…

الدارات الأساسية للترانزستور الثنائي القطبية

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء نستطيع أن نربط ترانزستوراً الثنائي القطبية بمكوِّنات خارجية كي ننشئ داراتٍ إلكترونيةً تقوم بأداء مهامٍّ متخصِّصةٍ مثل التضخيم والاهتزاز. ونجد هنا ثلاثة ترتيبات عامّة: 1- دارة الباعث المشترك (Common-Emitter…

تردّد قطع ألفا وبيتا

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء افترض أننا نشغّل ترانزستوراً ثنائيَّ القطبية كمضخِّمٍ للتيّار، وأننا نزوِّده بإشارة دخلٍ عند تردّد قدره 1 كيلو هرتز. بعد ذلك نقوم بشكلٍ ثابت بزيادة تردّد إشارة الدخل. سوف نلاحظ…

الكميات ألفا وبيتا والعلاقة بينهما

2013 تبسيط علم الإلكترونيات ستان جيبيليسكو مؤسسة الكويت للتقدم العلمي الفيزياء يمكننا أن نصف تغيّرات التيّار في ترانزستور ثنائي القطبية بواسطة تقسيم الفرق في على الفرق في الذي يحدث عندما نطبِّق إشارةً صغيرةً على الباعث في ترانزستور مع كون القاعدة متّصلة بالتأريض…